G-33B4型高精密光刻機

產(chǎn)品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專(zhuān)院校、科研單位，主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學(xué)器件研制和生產(chǎn),由于本機找平機構**，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時(shí)還是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

主要構成

曝光頭及部件圖

CCD顯微系統|X、Y、Q對準工作臺

適用于5mm以下的各種基片)的對準曝光。2.套刻精度高、速度快Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時(shí)漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產(chǎn)品的成品率。

主要技術(shù)指標<span style="font-family:;" "="">

（1） 高均勻性高壓直流球形汞燈曝光頭。

a、 采用350W直流球形汞燈；

b、 出射光斑≤φ117mm；

c、 光強≥5mw；

d、 光的不均勻性≤±3%；

e. 曝光時(shí)間采用0～999.9秒（日本OMRON生產(chǎn)）時(shí)間繼電器控制。

f. 對準精度：±0.5μm  

g. 套刻精度：1μm  

（2） 觀(guān)察系統為上下各兩個(gè)無(wú)級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個(gè)CCD攝像頭通過(guò)視屏線(xiàn)連接計算機到19″高清液晶顯視屏上。

a、 單筒顯微鏡為1.6X～10X連續變倍顯微鏡；

b、 CCD攝像機靶面對角線(xiàn)尺寸為：1/3″；

c、 采用19″液晶監視器，其數字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d、 觀(guān)察系統放大倍數為：1.6×57=91倍（*小倍數）

10×57=570倍（*大倍數）；

（3）計算機硬軟件系統

a、鼠標單擊“開(kāi)始對準”，能將監視屏上的圖形記憶下來(lái)，并處理成透明的，以便對新進(jìn)入的圖形進(jìn)行對準；

b、鼠標雙擊左面或右面圖形，就分別全屏顯示左或右面圖形。

（4）非常特殊的板架裝置：

a、該裝置裝入 125×125板架，對版進(jìn)行真空吸附；

b、該裝置安裝在機座上，能?chē)@A點(diǎn)作翻轉運動(dòng)，相對于承片臺而言作上下翻轉運動(dòng)，以便于上下版和上下片；

c、該裝置來(lái)回反復翻轉，回到承片臺上平面的位置，重復精度為≤±1.5μ；

d、該裝置具有補償基片楔形誤差之功能，版下平面與片上平面之良好接觸，以便提高曝光質(zhì)量。

（5）承片臺調整裝置：

a、 配備有Φ100承片臺一個(gè)，這種承片臺有二個(gè)長(cháng)方孔，下面二個(gè)CCD通過(guò)該孔能觀(guān)察到版或片的下平面；

b、 承片臺能作X、Y、Z、θ運動(dòng)，X、Y、Z可作±5mm運動(dòng)，θ運動(dòng)為±5°；

c、 承片臺密著(zhù)環(huán)相對于版，能實(shí)現“真空密著(zhù)”：

真空密著(zhù)力≤-0.05Mpa為硬接觸；

真空密著(zhù)力≤-0.05Mpa～-0.02Mpa為軟接觸；

真空密著(zhù)力≤-0.02Mpa為微力接觸；