G-30D4型高精密單面光刻機
設備概述:
本設備為我公司專(zhuān)門(mén)針對各大、中、小型企業(yè)的使用特性而研發(fā)的一種高精密雙面光刻機,它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn),它具有生產(chǎn)效率高、結構簡(jiǎn)單、操作維護方便等優(yōu)勢,本機不僅適合4英寸以下各型基片的曝光,也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。 主要由防震工作臺、LED專(zhuān)用曝光頭、氣動(dòng)系統、電氣控制系統、真空管路系統、直聯(lián)式真空泵及附件箱等組成。
曝光頭及部件圖
主要功能特點(diǎn)
Φ100mm以下,厚度(包括非圓形基片
2. 結構穩定 有真空掩膜版架、真空片吸盤(pán)。 本設備操作簡(jiǎn)單,調試、維護、修理等都非常簡(jiǎn)便。 采用進(jìn)口電磁閥、按鈕、定時(shí)器;采用獨特的氣動(dòng)系統、真空管路系統和精密的機械 5. 特設功能 的基片造成的版片分離不開(kāi)所引起的版片無(wú)法對準的問(wèn)題
主要技術(shù)指標 1、曝光類(lèi)型:接觸式,雙面,一次同時(shí)曝光(配置4″LED專(zhuān)用曝光頭) 2、曝光面積:110×110mm; 3、曝光照度不均勻性:≤±3%; 4、曝光強度:0~30mw/cm2可調; 5、紫外光束角:≤3°; 6、紫外光中心波長(cháng):365nm; 7、紫外光源壽命:≥2萬(wàn)小時(shí); 8、工作面溫度:≤30℃ 9、采用電子快門(mén); 10、曝光分辨率:2μm(曝光深度為線(xiàn)寬的10倍左右) 11、曝光方式:接觸式曝光; 12、掩模版尺寸:≤127×127mm; 13、基片尺寸:≤ Φ100mm; 14、基片厚度:≤5 mm; 15、曝光定時(shí):0~999.9秒可調;
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